雪崩能量測(cè)試臺(tái)功能指標(biāo):
配置
測(cè)試范圍
測(cè)試參數(shù)
條件
范圍
電壓1000V
IGBT
絕緣柵極雙極型晶體管
EAS/單脈沖雪崩能量
VCE
20V~4500V
20V~100V±3%±1V
100V~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
電流200A
MOSFETS
MOS場效應(yīng)管
EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量
IC
1mA~200A
1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA
DIODES
二極管
IAS/脈沖雪崩電流
PAS/單脈沖雪崩功率
Ea
1J~2000J
1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J
IC(檢測(cè)）
50mV/A(取決于傳感器）
感性負(fù)載
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
重復(fù)間隙時(shí)間
1~60s可調(diào)（進(jìn)步is）重復(fù)次數(shù)：1~50次