回收范圍有：
1.硅片，電池片，缺角片，碎片，藍(lán)膜片，擴(kuò)散片，拋光片。
2.原生多晶，鍋底料，復(fù)拉料，P/N型單晶邊皮，多晶邊皮。
3.降級(jí)組件，二手組件， 客退組件，庫(kù)存組件，。
4.重?fù)搅希璺鄣龋鞣N硅料。7廢硅片回收拋光片檢測(cè)
包括目檢、幾何尺寸檢測(cè)和熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)等。目檢是在正面高強(qiáng)度光或大面積散射光照射下目測(cè)拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。幾何尺寸的檢測(cè)包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測(cè)。厚度為硅片中心上、下表面兩個(gè)對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的距離；總厚度變化為同一硅片上厚度值與最小值之差；彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的值與最小值之差；平整度指硅片表面上點(diǎn)與點(diǎn)的高度差，用總指示讀數(shù)表征。硅片的熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)是指硅拋光片表面的機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過(guò)程中均會(huì)產(chǎn)生熱氧化層錯(cuò)，經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后，在金相顯微鏡下觀測(cè)熱氧化層錯(cuò)的密度，以此鑒定硅片表面的質(zhì)量。